金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，万向一二三股份公司申请一项名为“一种具有双包覆层的硅负极材料、制备方法及其应用”的专利，公开号CN118888722A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有双包覆层的硅负极材料、制备方法及其应用，涉及锂离子二次电池技术领域，双包覆层的硅负极材料包括硅基材料；快离子导体层，包覆于所述硅基材料的表面；碳纳米管层，包覆于所述快离子导体层的表面。本发明提供的一种具有双包覆层的硅负极材料，采用气相沉积法在硅基材料的表面沉积包覆纳米金属氧化物层和碳纳米管层，再混合锂源高温烧结得到碳纳米管和快离子导体双层包覆的硅负极材料。快离子导体包覆层，能有效降低锂离子扩散阻力，匀化锂离子通量，提高材料界面处的动力学性能，提升负极材料的倍率和低温性能。外层碳纳米管包覆层有效缓冲硅基负极嵌锂膨胀产生的内部应力，稳定材料的结构，改善硅负极材料的循环稳定性能。

本文源自金融界